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KSP44 +BOM

Compact power transistor suitable for small signal applicatio

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

KSP44
Scheda dati:

KSP44 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

400 V
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

Advanced Power Transistor
KSP45 Collector-Emitter Voltage: V_CEO= 700 V
Silicon NPN Epitaxial Layer
High-Speed Switching Application
NPN Power Transistor with High Current Gain
Collector-Emitter Voltage: V_CEO= 600 V, HFE=1000

Applicazione

Efficient and effective
Highly recommended for all
Essential for everyday tasks

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V	Collector- Base Voltage VCBO	500 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Maximum DC Collector Current	300 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSP4
Continuous Collector Current	300 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	50
DC Current Gain hFE Max	200	Height	4.58 mm
Length	4.58 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	10000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.86 mm
Unit Weight	0.008466 oz

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