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KSC2073 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1.5 A 4MHz 25 W Through Hole TO-220-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

KSC2073
Scheda dati:

KSC2073 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

1.5 A
EDA/CAD Modelli:

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KSC2073 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1.5 A 4MHz 25 W Through Hole TO-220-3

Caratteristiche principali

Complement to KSA940
Collector-Base Voltage: V_CBO= 150 V
TV Vertical Deflection Output

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Source Content uid	KSC2073	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Collector Current-Max (IC)	1.5 A	Collector-Emitter Voltage-Max	150 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	40
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	25 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	4 MHz
VCEsat-Max	1 V	Product Category	Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	150 V	Collector- Base Voltage VCBO	150 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	1.5 A	Pd - Power Dissipation	25 W
Gain Bandwidth Product fT	4 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	1.5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	40	DC Current Gain hFE Max	140
Height	9.4 mm	Length	10.1 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	200
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.080072 oz

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