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Vedi Specifiche Tecniche

KSP06 +BOM

Low-voltage, low-power device for audio and digital circuit

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

KSP06
Scheda dati:

KSP06 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

High-Power Amplifier
Low-Noise Transistor
Radio Frequency Device
High-Speed Switching
Medium-Power Driver
General Purpose Transistor

Applicazione

Can be used in various scenarios.
Suitable for multiple applications.
Works well in many situations.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Gain Bandwidth Product fT	100 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	KSP06	Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	50	DC Current Gain hFE Max	50 at 10 mA, 1 V
Height	4.7 mm	Length	4.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.93 mm
Unit Weight	0.008466 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..