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KSE350S +BOM

PNP Bipolar Transistors - Epitaxial Silicon BJT

Produttore:

FAIRCHILD
ProduttorePart #:

KSE350S
Scheda dati:

KSE350S Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

300 V
EDA/CAD Modelli:

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KSE350S Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126-3

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V	Collector- Base Voltage VCBO	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	20 W	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSE350
Continuous Collector Current	- 500 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	30
DC Current Gain hFE Max	240	Height	11 mm
Length	8 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	250	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.25 mm
Part # Aliases	KSE350S_NL	Unit Weight	0.026843 oz

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