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KSD794AYS +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 60MHz 1 W Through Hole TO-126-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

KSD794AYS
Scheda dati:

KSD794AYS Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

2V @ 150mA, 1.5A
EDA/CAD Modelli:

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KSD794AYS Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 60MHz 1 W Through Hole TO-126-3

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	3 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2V @ 150mA, 1.5A	Current - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 500mA, 5V	Power - Max	1 W
Frequency - Transition	60MHz	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	KSD794

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