Metodo di pagamento
KSD526Y +BOM
NPN Epitaxial Silicon Transistor
TO-220-3-
Produttore:
onsemi
-
ProduttorePart #:
KSD526Y
-
Scheda dati:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
80 V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 7072 PZ
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Caratteristiche principali
- Low power consumption of 3mW
- Compact package size of 5mm x 10mm
- Suitable for portable device applications
Applicazione
- The product is versatile and reliable.
- Perfect for a variety of uses.
- An essential tool for any task.
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 450 mV |
Maximum DC Collector Current | 4 A | Pd - Power Dissipation | 30 W |
Gain Bandwidth Product fT | 8 MHz | Minimum Operating Temperature | - |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | KSD526 |
Continuous Collector Current | 4 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 |
DC Current Gain hFE Max | 240 | Height | 9.4 mm |
Length | 10.1 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 200 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 4.7 mm |
Unit Weight | 0.063493 oz |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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In Stock: 7.072
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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