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KSD227YBU +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 300 mA 400 mW Through Hole TO-92-3

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

KSD227YBU
Scheda dati:

KSD227YBU Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

400mV @ 30mA, 300mA
EDA/CAD Modelli:

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KSD227YBU Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 300 mA 400 mW Through Hole TO-92-3

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	300 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 30mA, 300mA	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 50mA, 1V	Power - Max	400 mW
Frequency - Transition	-	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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