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Vedi Specifiche Tecniche

KSD2012GTU +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

KSD2012GTU
Scheda dati:

KSD2012GTU Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 200mA, 2A
EDA/CAD Modelli:

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KSD2012GTU Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3

Caratteristiche principali

Sleek and portable design
Fast wireless connectivity
Smooth multitasking
Built-in speakers

Applicazione

Automotive uses
Energy management
Robotics applied
Consumer tech
Industrial apps
Telecom systems

Specifiche

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	100µA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	150 @ 500mA, 5V
Power - Max	25 W	Frequency - Transition	3MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	KSD2012

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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Spedizione e imballaggio

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..