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Vedi Specifiche Tecniche

KSA940TU +BOM

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

KSA940TU
Scheda dati:

KSA940TU Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

150 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per KSA940TU

Caratteristiche principali

Fully Integrated Power Amplifier
High Efficiency and Low Noise
Designed for KSA940TU

Applicazione

Great for all your needs.
Works well in any situation.
Perfect for everyday tasks.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	150 V	Collector- Base Voltage VCBO	150 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum DC Collector Current	1.5 A	Pd - Power Dissipation	25 W
Gain Bandwidth Product fT	4 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	KSA940
Continuous Collector Current	- 1.5 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	40
DC Current Gain hFE Max	140	Height	9.4 mm
Length	10.1 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.7 mm
Part # Aliases	KSA940TU_NL	Unit Weight	0.063493 oz

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