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K4X2G323PD-8GD8 +BOM

DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90-Pin FBGA

Produttore:

SAMSUNG
ProduttorePart #:

K4X2G323PD-8GD8
Scheda dati:

K4X2G323PD-8GD8 Scheda dati (PDF)
ECCN:

EAR99
Automotive:

No
Supplier Cage Code:

1542F
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

1.8V power supply, 1.8V I/O power
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Four banks operation
Differential clock inputs(CK and CK)
MRS cycle with address key programs
- CAS Latency ( 2, 3 )
- Burst Length ( 2, 4, 8, 16 )
- Burst Type (Sequential & Interleave)
- Partial Self Refresh Type ( Full, 1/2, 1/4 Array )
- Output Driver Strength Control ( Full, 1/2, 1/4, 1/8 )
Internal Temperature Compensated Self Refresh
Deep Power Down Mode
All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).
Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.
Edge aligned data output, center aligned data input.
No DLL; CK to DQS is not synchronized.
LDM/UDM for write masking only.
Auto refresh duty cycle
- 7.8us for -25 to 85 °C

Specifiche

ECCN	EAR99	Automotive	No
Supplier Cage Code	1542F

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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