Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

K4T1G084QG-BCE7 +BOM

Produttore:

SAMSUNG
ProduttorePart #:

K4T1G084QG-BCE7
Scheda dati:

K4T1G084QG-BCE7 Scheda dati (PDF)
Pacchetto/custodia:

FBGA60
Tipologia di prodotto:

Memory ICs
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per K4T1G084QG-BCE7

Caratteristiche principali

JEDEC standard 1.8V0.1V Power Supply

VDDQ = 1.8V0.1V

333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin

8 Banks

Posted CAS

Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6

Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5

Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1

Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)

Programmable Sequential / Interleave Burst Mode

Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature)

Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment

On Die Termination

Special Function Support

- PASR(Partial Array Self Refresh)

- 50ohm ODT

- High Temperature Self-Refresh rate enable

Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85C, 3.9us at 85C < TCASE < 95 C

All of Lead-free products are compliant for RoHS

Applicazione

The 1Gb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.

Specifiche

Product Category

Memory ICs

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..