Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

K4F6E3S4HM-MGCJ +BOM

The K4F6E3S4HM-MGCJ is designed with 10x15 64Mb x16DQ x8banks x2channels, allowing for efficient data processing and transfer speeds

Produttore:

SAMSUNG
ProduttorePart #:

K4F6E3S4HM-MGCJ
Scheda dati:

K4F6E3S4HM-MGCJ Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
HTS:

8542.32.00.36
Automotive:

No
PPAP:

No
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per K4F6E3S4HM-MGCJ

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

K4F6E3S4HM-MGCJ Descrizione generale

Memory IC 16Gbit Parallel 1866 MHz

Specifiche

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
HTS	8542.32.00.36	Automotive	No
PPAP	No	DRAM Type	Mobile LPDDR4 SDRAM
Chip Density (bit)	16G	Organization	512Mx32
Number of Internal Banks	8	Number of Words per Bank	64M
Number of Bits/Word (bit)	32	Data Bus Width (bit)	32
Maximum Clock Rate (MHz)	3733	Maximum Access Time (ns)	3.5
Address Bus Width (bit)	19	Process Technology	CMOS
Interface Type	LVSTL	Minimum Operating Supply Voltage (V)	1.06\|1.7
Typical Operating Supply Voltage (V)	1.1\|1.8	Maximum Operating Supply Voltage (V)	1.17\|1.95
Operating Current (mA)	435	Minimum Operating Temperature (°C)	-25
Maximum Operating Temperature (°C)	85	Number of I/O Lines (bit)	32
Mounting	Surface Mount	PCB changed	200
Pin Count	200

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..