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K4H511638F-LCB3 +BOM

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 2.5V T/R

Caratteristiche principali

VDD : 2.5V0.2V, VDDQ : 2.5V0.2V for DDR266, 333

VDD : 2.6V0.1V, VDDQ : 2.6V0.1V for DDR400

Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16)

Four banks operation

Differential clock inputs(CK and CK)

DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

MRS cycle with address key programs

-. Read latency : DDR266(2.5 Clock), DDR333(2.5 Clock), DDR400(3 Clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

Data I/O transactions on both edges of data strobe

Edge aligned data output, center aligned data input

LDM,UDM for write masking only (x16)

DM for write masking only (x4, x8)

Auto & Self refresh

7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)

Maximum burst refresh cycle : 8

66pin TSOP II Lead-Free & Halogen-Free package

RoHS compliant

Specifiche

ECCN (US) EAR99 Part Status Active
HTS 8542.32.00.51 Automotive No
PPAP No Chip Density (bit) 2M
Organization 256Kx8 Address Bus Width (bit) 24
Programmability Yes Data Retention (Year) 200(Min)
Max. Access Time (ns) 80 Maximum Operating Frequency (MHz) 5
Interface Type Serial-SPI Minimum Operating Supply Voltage (V) 1.8
Typical Operating Supply Voltage (V) 5|3.3|2.5 Maximum Operating Supply Voltage (V) 5.5
Programming Voltage (V) 1.8 to 5.5 Operating Current (mA) 3
Minimum Operating Temperature (°C) -40 Maximum Operating Temperature (°C) 85
Supplier Temperature Grade Industrial Hardware Data Protection Yes
Packaging Tape and Reel Number of Bits per Word (bit) 8
Mounting Surface Mount PCB changed 8
Pin Count 8 Lead Shape Gull-wing

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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