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K4F8E304HB-MGCJ +BOM

Best-in-class memory solution for next-gen devices

Produttore:

Samsung Semiconductor, Inc.
ProduttorePart #:

K4F8E304HB-MGCJ
Scheda dati:

K4F8E304HB-MGCJ Scheda dati (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

DRAM
Memory Size:

8Gbit

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

K4F8E304HB-MGCJ Descrizione generale

Memory IC 8Gbit Parallel 1866 MHz

Caratteristiche principali

Data Transfer Rate: 1066 Mbps
Operating Temperature Range: -40 to 85°C
Voltage Tolerance: ±15%
Module Size: 133mm x 54.98mm

Applicazione

Robotics industry
Automotive sector
Security solutions

Specifiche

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Volatile
Memory Format	DRAM	Technology	-
Memory Size	8Gbit	Memory Organization	256M x 32
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	1866 MHz
Write Cycle Time - Word, Page	-	Access Time	-
Voltage - Supply	1.1V	Operating Temperature	-25°C ~ 85°C
Mounting Type	Surface Mount	Series	-

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..