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Vedi Specifiche Tecniche

K4X1G323PF-8GD8 +BOM

DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 32Mx32 1.8V 90-Pin FBGA

Produttore:

SAMSUNG
ProduttorePart #:

K4X1G323PF-8GD8
Scheda dati:

K4X1G323PF-8GD8 Scheda dati (PDF)
ECCN:

EAR99
Automotive:

No
Supplier Cage Code:

1542F
HTSUSA:

8542320032
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

1.8V power supply, 1.8V I/O power

Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

Bidirectional data strobe(DQS)

Four banks operation

1 /CS

1 CKE

Differential clock inputs(CK and CK)

MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 2, 3 )

- Burst Length ( 2, 4, 8, 16 )

- Burst Type (Sequential & Interleave)

- Partial Self Refresh Type ( Full, 1/2, 1/4 Array )

- Output Driver Strength Control ( Full, 1/2, 1/4, 1/8 )

Internal Temperature Compensated Self Refresh

Deep Power Down Mode

All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).

Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.

Edge aligned data output, center aligned data input.

No DLL; CK to DQS is not synchronized.

LDM, UDM for write masking only.

Auto refresh duty cycle

- 7.8us for -25 to 85 C

Specifiche

ECCN	EAR99	Automotive	No
Supplier Cage Code	1542F	HTSUSA	8542320032
Schedule B	8542320015

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..