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K4T51163QI-HCE6 +BOM

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K4T51163QI-HCE6 Descrizione generale

The K4T51163QI-HCE6 is a cutting-edge SDRAM chip developed by Samsung, boasting top-of-the-line performance and reliability. With a storage capacity of 8 gigabits and a lightning-fast data transfer rate of up to 3200 Mbps, this DDR4 SDRAM chip sets a new standard in memory technology. Its industrial-grade design, denoted by the "HCE6" suffix, ensures it can operate flawlessly even in extreme temperature conditions, making it ideal for a wide range of industrial applications

Caratteristiche principali

  • Suitable for industrial control systems and automation applications
  • High-speed data transfer rates up to 533MB/s
  • Reliable operation with built-in error detection and correction
  • Durable design with ruggedized packaging for harsh environments
  • Compliant with RoHS, WEEE, and halogen-free for eco-friendliness

Applicazione

  • Powerful and efficient
  • Perfect for mobile devices
  • High-speed DDR2 technology

Specifiche

ECCN (US) EAR99 Part Status Obsolete
Automotive No PPAP No
DRAM Type DDR2 SDRAM Chip Density (bit) 512M
Organization 32Mx16 Number of Internal Banks 4
Number of Words per Bank 8M Number of Bits/Word (bit) 16
Data Bus Width (bit) 16 Maximum Clock Rate (MHz) 667
Maximum Access Time (ns) 0.45 Address Bus Width (bit) 15
Interface Type SSTL_1.8 Minimum Operating Supply Voltage (V) 1.7
Maximum Operating Supply Voltage (V) 1.9 Operating Current (mA) 115
Minimum Operating Temperature (°C) 0 Maximum Operating Temperature (°C) 95
Supplier Temperature Grade Commercial Number of I/O Lines (bit) 16
Mounting Surface Mount PCB changed 84
Pin Count 84 Lead Shape Ball

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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