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K4H561638J-LCB3 +BOM

Fast memory solution for high-performance applicatio

  • Produttore:

    Samsung Semiconductor

  • ProduttorePart #:

    K4H561638J-LCB3

  • Scheda dati:

    K4H561638J-LCB3 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Part Life Cycle Code:

    Obsolete

  • Reach Compliance Code:

    compliant

  • ECCN Code:

    EAR99

  • HTS Code:

    8542.32.00.24

K4H561638J-LCB3 Descrizione generale

When it comes to enhancing the performance of your electronic devices, the K4H561638J-LCB3 memory chip is a top choice. Its high level of reliability and durability ensures that your system runs smoothly without any hiccups. With fast data transfer speeds and seamless compatibility, this memory chip is a must-have for anyone looking to elevate their computing experience

Caratteristiche principali

  • Package: 56-TFBGA
  • Voltage: 1.65V – 1.95V
  • Low power consumption

Applicazione

  • Smart technology solutions
  • High-performance systems
  • Automation and control

Specifiche

Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8542.32.00.24
Access Time-Max 0.7 ns Clock Frequency-Max (fCLK) 166 MHz
I/O Type COMMON Interleaved Burst Length 2,4,8
JESD-30 Code R-PDSO-G66 JESD-609 Code e3
Memory Density 268435456 bit Memory IC Type DDR1 DRAM
Memory Width 16 Number of Terminals 66
Number of Words 16777216 words Number of Words Code 16000000
Operating Temperature-Max 70 °C Organization 16MX16
Output Characteristics 3-STATE Qualification Status Not Qualified
Refresh Cycles 8192 Sequential Burst Length 2,4,8
Standby Current-Max 0.003 A Supply Current-Max 0.27 mA
Supply Voltage-Nom (Vsup) 2.5 V Surface Mount YES
Technology CMOS Temperature Grade COMMERCIAL
Terminal Finish Tin (Sn) Terminal Form GULL WING
Terminal Pitch 0.635 mm Terminal Position DUAL

Politiche di servizio e altro

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