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Vedi Specifiche Tecniche

K4B4G1646D-BHMA +BOM

Built with complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology for efficient power consumption

Produttore:

Samsung Electronics
ProduttorePart #:

K4B4G1646D-BHMA
Scheda dati:

K4B4G1646D-BHMA Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
HTS:

8542.32.00.36
Automotive:

No
PPAP:

No
EDA/CAD Modelli:

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K4B4G1646D-BHMA Descrizione generale

K4B4G1646D-BHMA is a specific model number (part number) for an electronic component known as a synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip. It is manufactured by Samsung.

Caratteristiche principali

Capacity: This specific chip has a capacity of 4Gb (gigabits), which translates to 512MB (megabytes).
Organization: The chip is organized as 512M x 8 bits, meaning it has 512 million memory cells that can store 8 bits each.
Speed: It operates at a frequency of 2133 MHz (megahertz), which offers fast data transfer rates.
Voltage: The chip operates at a voltage of 2V.

Applicazione

The K4B4G1646D-BHMA SDRAM chip is commonly used in various electronic devices, including but not limited to:
Personal computers
Laptops
Workstations
Servers
Networking equipment
Graphics cards
Gaming consoles
Televisions and displays

Specifiche

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
HTS	8542.32.00.36	Automotive	No
PPAP	No	DRAM Type	DDR3 SDRAM
Chip Density (bit)	4G	Organization	256Mx16
Number of Bits/Word (bit)	16	Data Bus Width (bit)	16
Maximum Clock Rate (MHz)	1866	Typical Operating Supply Voltage (V)	1.35
Minimum Operating Temperature (°C)	-40	Maximum Operating Temperature (°C)	105
Number of I/O Lines (bit)	16	Mounting	Surface Mount
PCB changed	96	Pin Count	96

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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