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K4B4G1646B-HCK0 +BOM

Advanced '96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free' memory module

Produttore:

Samsung Electronics
ProduttorePart #:

K4B4G1646B-HCK0
Scheda dati:

K4B4G1646B-HCK0 Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Automotive:

No
PPAP:

No
DRAM Type:

DDR3 SDRAM
EDA/CAD Modelli:

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K4B4G1646B-HCK0 Descrizione generale

When it comes to data transfer rates, the K4B4G1646B-HCK0 doesn't disappoint. With a lightning-fast 19.2 gigabytes per second, this module can handle even the most demanding tasks with ease. Whether you're into intensive gaming, video editing, or multitasking, this DDR4 SDRAM module will provide you with the speed and stability you need to get the job done

Caratteristiche principali

Feature-rich and reliable
Slim module design for space efficiency
Energy-efficient for reduced power consumption
Rapid performance for demanding applications
High-quality and durable construction
Compact form factor for easy installation

Applicazione

Fast and reliable memory
Perfect for tech devices

Specifiche

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
DRAM Type	DDR3 SDRAM	Chip Density (bit)	4G
Organization	256Mx16	Number of Internal Banks	8
Number of Words per Bank	32M	Number of Bits/Word (bit)	16
Data Bus Width (bit)	16	Maximum Clock Rate (MHz)	1600
Maximum Access Time (ns)	0.225	Address Bus Width (bit)	19
Interface Type	SSTL_1.5	Minimum Operating Supply Voltage (V)	1.425
Typical Operating Supply Voltage (V)	1.5	Maximum Operating Supply Voltage (V)	1.575
Operating Current (mA)	182	Minimum Operating Temperature (°C)	0
Maximum Operating Temperature (°C)	95	Supplier Temperature Grade	Commercial
Number of I/O Lines (bit)	16	Mounting	Surface Mount
PCB changed	96	Pin Count	96
Lead Shape	Ball

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..