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K4B4G1646B-HCH9 +BOM

4GbB-dieDDR3SDRAMOlnyx16

Produttore:

Samsung
ProduttorePart #:

K4B4G1646B-HCH9
Scheda dati:

K4B4G1646B-HCH9 Scheda dati (PDF)
Pacchetto/custodia:

BGA
RoHS:
Ciclo vitale:

Obsolete
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

JEDEC standard 1.5V(1.425V~1.575V)
VDDQ = 1.5V(1.425V~1.575V)
400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin,
667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin,
933MHz fCK for 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK for 2133Mb/sec/pin
8 Banks
Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,12,13,14
Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock
Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6
(DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) and
10 (DDR3-2133)
8-bit pre-fetch
Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting
address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless
read or write [either On the fly using A12 or MRS]
Bi-directional Differential Data-Strobe
Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin
(RZQ : 240 ohm ± 1%)
On Die Termination using ODT pin
Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at
85°C
Support Industrial Temp ( -40 ∼ 85°C )
Asynchronous Reset
Package : 96 balls FBGA - x16
All of Lead-Free products are compliant for RoHS
All of products are Halogen-free

Specifiche

Product Category

IC Chips

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

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Grammo dei soldi

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