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Vedi Specifiche Tecniche

K4B2G1646F-BMMA +BOM

Low-voltage 2Gbit DDR3L SDRAM Chip

Produttore:

Samsung Electronics
ProduttorePart #:

K4B2G1646F-BMMA
Scheda dati:

K4B2G1646F-BMMA Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Automotive:

No
PPAP:

No
DRAM Type:

DDR3L SDRAM
EDA/CAD Modelli:

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K4B2G1646F-BMMA Descrizione generale

K4B2G1646F-BMMA is a type of electronic component known as a dynamic random-access memory (DRAM) chip.

Caratteristiche principali

It is classified as a DDR3L SDRAM, which stands for double data rate type three synchronous dynamic random-access memory with low voltage.
The chip has a total capacity of 2 Gigabits (Gb) or 256 Megabytes (MB).
It operates at a speed of 1600 Megabits per second (Mbps).
The supply voltage required for this chip is 35V.

Applicazione

Due to its relatively small capacity and low voltage operation, K4B2G1646F-BMMA is commonly used in mobile devices such as smartphones, tablets, and portable gaming systems.
It can also be found in other electronic devices like laptops, embedded systems, and industrial controls.

Specifiche

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
DRAM Type	DDR3L SDRAM	Chip Density (bit)	2G
Organization	128Mx16	Number of Internal Banks	8
Number of Words per Bank	16M	Number of Bits/Word (bit)	16
Data Bus Width (bit)	16	Maximum Clock Rate (MHz)	1866
Maximum Access Time (ns)	0.195	Address Bus Width (bit)	17
Minimum Operating Supply Voltage (V)	1.283\|1.425	Typical Operating Supply Voltage (V)	1.35\|1.5
Maximum Operating Supply Voltage (V)	1.45\|1.575	Operating Current (mA)	134
Minimum Operating Temperature (°C)	-40	Maximum Operating Temperature (°C)	95
Supplier Temperature Grade	Industrial	Number of I/O Lines (bit)	16
Mounting	Surface Mount	PCB changed	96
Pin Count	96	Lead Shape	Ball

Politiche di servizio e altro

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