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JFE150DCKT +BOM

Ultra-low-noise, low-gate-current audio N-channel JFET

Produttore:

Texas Instruments, Inc
ProduttorePart #:

JFE150DCKT
Scheda dati:

JFE150DCKT Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS):

40 V
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):

24 mA @ 10 V
EDA/CAD Modelli:

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JFE150DCKT Descrizione generale

The JFE150DCKT is a cutting-edge semiconductor device incorporating Burr-Brown™ discrete JFET technology from Texas Instruments. Designed using a state-of-the-art analog bipolar process, the JFE150 offers superior performance compared to traditional discrete JFET technologies. With user-adjustable quiescent current settings, this device delivers exceptional noise performance across a wide range of currents, from 50 µA to 20 mA

Caratteristiche principali

Small input capacitance: 12 pF @ 1 kHz
High power density: 4.5 W/cm² at 25°C, 100 kHz
Low leakage current: 0.005 μA @ 125°C, 0 V

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsJFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	40 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	24 mA @ 10 V
Current Drain (Id) - Max	50 mA	Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	1.5 V @ 0.1 µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24pF @ 5V	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	JFE150
Vn at 1 kHz (nV√Hz)	0.8	Breakdown voltage (V)	40
VDS (V)	40	VGS (V)	-40
VGSTH typ (typ) (V)	-1.2	Rating	Catalog
Operating temperature range (°C)	-40 to 125	feature-packaging
feature-rad-hard		feature-pin-count	5
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-escc-qualified		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold

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