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CSD19505KCS +BOM

80-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 3.1 mOhm

Produttore:

TI
ProduttorePart #:

CSD19505KCS
Scheda dati:

CSD19505KCS Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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CSD19505KCS Descrizione generale

This 80 V, 2.6 mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

Caratteristiche principali

Ultra-Low Q_g and Q_gd
Low Thermal Resistance
Avalanche Rated
Pb-Free Terminal Plating
RoHS Compliant
Halogen Free
TO-220 Plastic Package

Specifiche

Source Content uid	CSD19505KCS	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Additional Feature	AVALANCHE RATED	Avalanche Energy Rating (Eas)	510 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	80 V	Drain Current-Max (ID)	208 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0038 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	34 pF	JEDEC-95 Code	TO-220
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

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Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

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