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IXTA26P20P +BOM

A MOSFET rated at 26.0 Amps and 200V, featuring an Rds value of 0.170

Produttore:

Littelfuse
ProduttorePart #:

IXTA26P20P
Scheda dati:

IXTA26P20P Scheda dati (PDF)
Drain-Source Voltage (V):

-200
Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

0.17
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

-26
Gate Charge (nC):

56
EDA/CAD Modelli:

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IXTA26P20P Descrizione generale

Embedded within the IXTA26P20P Polar™ P-Channel MOSFET is our groundbreaking Polar technology, which delivers a significant reduction in both on-state resistance (RDSon) and gate charge (Qg) by 30% and 40% respectively compared to traditional alternatives. This enhanced performance leads to minimized conduction loss and superior switching characteristics, making it a standout choice for demanding applications. Moreover, these MOSFETs are ruggedly constructed to withstand dynamic dv/dt and avalanche scenarios, ensuring durability in harsh environments. The positive temperature coefficient of the on-state resistance facilitates easy paralleling for enhanced power handling capabilities

Caratteristiche principali

Low noise and vibrations
High current handling
Advanced thermal management
Simplified maintenance

Applicazione

Stable voltage regulation
Compact design footprint
Advanced control features

Specifiche

Drain-Source Voltage (V)	-200	Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)	0.17
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)	-26	Gate Charge (nC)	56
Input Capacitance, CISS (pF)	2740	Thermal resistance [junction-case] (K/W)	0.42
Configuration	Single	Typical Reverse Recovery Time (ns)	240
Power Dissipation (W)	300	Sample Request	Yes
Check Stock	Yes

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