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IRG4PH30KD +BOM

IRG4PH30KD: Insulated Gate Bipolar Transistor

IRG4PH30KD Descrizione generale

With a TO-247 package that offers low thermal resistance and easy mounting options, the IRG4PH30KD prioritizes efficient heat dissipation, ensuring optimal performance and longevity. Furthermore, its compliance with RoHS standards and adherence to international safety protocols make it a dependable choice for a wide range of industrial and commercial applications. Trust the IRG4PH30KD to deliver unparalleled performance and durability in your power electronic systems

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Caratteristiche principali

  • Advanced soft recovery diode technology integrated
  • Reduced power consumption for energy efficiency
  • Compact and lightweight design available
  • High input impedance for easy drive
  • Superior thermal stability and reliability ensured
  • Safe and reliable operation in all environments guaranteed
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Applicazione

  • Home automation systems
  • Military communication devices
  • HVAC control systems

Specifiche

Packaging Bag Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A
Power - Max 100 W Switching Energy 950µJ (on), 1.15mJ (off)
Input Type Standard Gate Charge 53 nC
Td (on/off) @ 25°C 39ns/220ns Test Condition 800V, 10A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Base Product Number IRG4PH30

Politiche di servizio e altro

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L
L**e 02/20/2023

The product comes in good condition, it is received to prove it but it seems everything is fine.

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