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IRF9530NPBF +BOM

P-Channel 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IRF9530NPBF
Scheda dati:

IRF9530NPBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

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IRF9530NPBF Descrizione generale

The IRF9530NPBF power MOSFET transistor is a versatile component that excels in various high-current applications. With a drain-source voltage rating of 100V and a continuous drain current rating of 14A, this transistor delivers exceptional performance. Its low on-resistance of 0.33 ohms ensures efficient power conversion and minimal power dissipation, making it an ideal choice for demanding tasks such as switching power supplies and motor control

Caratteristiche principali

High-speed switching performance
Suitable for high-side applications
Fast recovery time and low gate charge

Applicazione

Quick inverter circuits
Industrial automation ready
Advanced power handling

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	HEXFET®
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	79W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IRF9530	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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Valutazioni e recensioni

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