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IRF630N +BOM

N-channel MOSFET with high current capaci

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRF630N
Scheda dati:

IRF630N Scheda dati (PDF)
Tj Max:

175.0 °C
Mounting:

THT
Polarity:

N
Ptot Max:

82.0 W
EDA/CAD Modelli:

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IRF630N Descrizione generale

The IRF630N is a reliable and efficient power MOSFET that offers designers a wide portfolio of options to support various applications. Its industry standard footprints and variety of packages make it easy to integrate into designs, whether you're working on inverters, lighting solutions, or load switches. With its proven silicon processes, the IRF630N is a dependable choice for any project requiring power MOSFET technology

Specifiche

Tj max	175.0 °C	Mounting	THT
Polarity	N	Ptot max	82.0 W
RthJC max	1.83 K/W	VDS max	200.0 V
VGS max	20.0 V	RDS (on) max	300.0 mΩ
VGS(th) max	4.0 V	VGS(th) min	2.0 V
ID max	9.3 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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