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This product is an N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET with a power rating of 17A and a voltage rating of 100V
D2PAK (TO-263)Produttore:
ProduttorePart #:
IRF530NS
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Active
Reach Compliance Code:
compliant
ECCN Code:
EAR99
Additional Feature:
AVALANCHE RATED
EDA/CAD Modelli:
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N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount D2PAK
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 93 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (ID) | 17 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.09 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e0 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 225 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 60 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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1+ | - | - |
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