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IRF3808S +BOM
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
D2PAK (TO-263)-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IRF3808S
-
Scheda dati:
-
Part Life Cycle Code:
Transferred
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Pin Count:
3
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ECCN Code:
EAR99
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HTS Code:
8541.29.00.95
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EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7792 PZ
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Avaq Semiconductor offre il driver IRF3808S altamente versatile e affidabile, prodotto da INFINEON. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.
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Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.
Specifiche
Part Life Cycle Code | Transferred | Pin Count | 3 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
HTS Code | 8541.29.00.95 | Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 430 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 75 V |
Drain Current-Max (ID) | 75 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.007 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-263AB |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Peak Reflow Temperature (Cel) | 225 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 200 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 550 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
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