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400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A IRF350 with Hermetic PackagingBenefits
TO-204AEProduttore:
ProduttorePart #:
IRF350
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
14A (Tc)
EDA/CAD Modelli:
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 14A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $52,313 | $52,31 |
200+ | $20,874 | $4.174,80 |
500+ | $20,175 | $10.087,50 |
1000+ | $19,832 | $19.832,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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