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IHW40N120R3 +BOM

This product is a high-power N-channel IGBT chip meant for use in automotive electronic systems

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IHW40N120R3
Scheda dati:

IHW40N120R3 Scheda dati (PDF)
Feature-channel-type:

N
Feature-configuration:

Single
Feature-maximum-gate-emitter-voltage-v:

±20
Feature-maximum-collector-emitter-voltage-v:

1200
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IHW40N120R3

Avaq Semiconductor offre il driver IHW40N120R3 altamente versatile e affidabile, prodotto da Infineon Technologies Corporation. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il IHW40N120R3.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Infineon Technologies Corporation inventario

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

feature-technology		feature-channel-type	N
feature-configuration	Single	feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±20
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	1200	feature-maximum-continuous-collector-current-a	80
feature-maximum-power-dissipation-mw	429	feature-packaging	Tube
feature-rad-hard		feature-pin-count	3
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive
feature-p-pap		feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	No	feature-svhc-exceeds-threshold	No
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	80 A
Pd - Power Dissipation	429 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	RC
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	SP000999770 IHW40N120R3FKSA1
Unit Weight	0.211644 oz

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..