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IHW30N135R5XKSA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 1350 V 60 A 330 W Through Hole PG-TO247-3

IHW30N135R5XKSA1 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 1350 V 60 A 330 W Through Hole PG-TO247-3

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

  • Switching losses reduced by 20%
  • Very low conduction losses
  • Reduced turn-on current spike up to 10%
  • Soft current turn-off waveforms for low EMI
  • Higher blocking voltage>
  • Increased switching frequency
  • Lowest power dissipation
  • Better thermal management for higher reliability
  • Lower EMI filtering requirements
  • Reduced system costs
  • Highest reliability against peak current
Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

  • Microwave ovens
  • Smart induction cooktop – precise and efficient heating control

Specifiche

RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Product Category IGBT Transistors
Technology Si Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.35 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.65 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A Pd - Power Dissipation 330 W
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Series IGBT RC Soft Switching Continuous Collector Current Ic Max 60 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 uA Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 240 Subcategory IGBTs
Tradename TRENCHSTOP Part # Aliases IHW30N135R5 SP001607186
Unit Weight 0.210031 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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Garanzia Garanzia

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IHW30N135R5XKSA1 Scheda dati PDF

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