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IHW30N160R5 +BOM

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

IHW30N160R5 Descrizione generale

The Reverse Conducting R5 1600 V, 30 A RC-H5 IGBTs with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO-247 package has been optimized for the demanding requirements of Induction Cooking applications. With a monolithically integrated diode, the 1600 V RC-H5 IGBTs are perfectly suited for soft switching applications such as induction cooking stoves and inverterized microwave ovens, but are also suitable for designs which require some hard switching capabilities as well. The RC-H5 IGBT complement the previous generation of reverse conduction IGBTs and extend the performance leadership of the RC-H family, focusing on system efficiency and reliability.

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Collector Current-Max (IC) 60 A
Collector-Emitter Voltage-Max 1600 V Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.8 V Gate-Emitter Voltage-Max 20 V
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -40 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 263 W Surface Mount NO
Terminal Finish TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON Turn-off Time-Nom (toff) 411 ns
VCEsat-Max 2.15 V

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