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IAUT260N10S5N019 +BOM

Semiconductor device categorized under the product code IAUT260N10S5N019

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IAUT260N10S5N019
Scheda dati:

IAUT260N10S5N019 Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™-5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

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IAUT260N10S5N019 Descrizione generale

N-Channel 100 V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Specifiche

Series	OptiMOS™-5	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	260A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	166 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11830 pF @ 50 V	Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IAUT260

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