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Vedi Specifiche Tecniche

IAUC100N04S6N015ATMA1 +BOM

Automotive-grade power semiconductor for demanding systems

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IAUC100N04S6N015ATMA1
Scheda dati:

IAUC100N04S6N015ATMA1 Scheda dati (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
Technology:

Si
EDA/CAD Modelli:

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IAUC100N04S6N015ATMA1 Descrizione generale

N-Channel 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

OptiMOS
TM
N-channel - Enhancement mode - Normal Level
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.42 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.6 V	Qg - Gate Charge	42 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	100 W	Channel Mode	Enhancement
Fall Time	8 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	4 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	15 ns	Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Part # Aliases	IAUC100N04S6N015 SP001700154	Unit Weight	0.003966 oz

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