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Si-based Power MOSFET with P-Channel Configuration, 6A Current, 20V Voltage, and 0.05ohm Resistance, Packaged in SOT-223 with 4 Pins
SOT-223-4Produttore:
Onsemi
ProduttorePart #:
FDT434P
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
P-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
EDA/CAD Modelli:
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Meet the FDT434P MOSFET transistor, designed for high performance and efficiency. With P Channel polarity, it offers a drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of 6A. The on resistance is specified at 0.05ohm, tested at a voltage of -4.5V. Packaged in an SOT-223 case, this transistor is easy to handle and install. It is also RoHS compliant, aligning with environmental regulations and standards
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 3 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDT434P | Configuration | Single |
Fall Time | 30 ns | Forward Transconductance - Min | 6.5 S |
Height | 1.8 mm | Length | 6.5 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 15 ns |
Factory Pack Quantity | 4000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
Width | 3.5 mm | Part # Aliases | FDT434P_NL |
Unit Weight | 0.003951 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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