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FDS4435A +BOM

Compact P-Channel MOSFET Field-Effect Transistor, capable of handling 9A currents with a voltage rating of 30V

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

FDS4435A
Scheda dati:

FDS4435A Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

4 Weeks
EDA/CAD Modelli:

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FDS4435A Descrizione generale

P-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Caratteristiche principali

–9 A, –30 V. RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = -10 V
RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS = -4.5 V
Low gate charge (21nC typical)
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability

Specifiche

Source Content uid	FDS4435A	Part Life Cycle Code	End Of Life
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	4 Weeks	Date Of Intro	2017-11-07
Application	SWITCHING	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Surface Mount	YES	Terminal Finish	NICKEL PALLADIUM GOLD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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