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Vedi Specifiche Tecniche

FDR840P +BOM

The package size of FDR840P is TSOP-8-3.30mm, suitable for small electronic devices

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDR840P
Scheda dati:

FDR840P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDR840P Descrizione generale

P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

Caratteristiche principali

–10 A, –20 V. RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 17.5 mΩ @ VGS = –2.5 V
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	10 A	Rds On - Drain-Source Resistance	12 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.8 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	15 ns	Forward Transconductance - Min	49 S
Height	1.02 mm	Length	4.06 mm
Product	MOSFET Small Signal	Product Type	MOSFET
Rise Time	15 ns	Factory Pack Quantity	750
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	120 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns	Width	3.3 mm
Part # Aliases	FDR840P_NL	Unit Weight	0.001467 oz

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