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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 50MHz 83 W Through Hole TO-220
TO-220Produttore:
onsemi
ProduttorePart #:
D44VH10G
Scheda dati:
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
NPN
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
80 V
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- Designed for general purpose power amplification and switching, the D44VH10G transistor offers reliable performance in a compact plastic package. Whether you're in need of a robust output stage or a efficient driver stage, this transistor has the capabilities to fulfill your requirements. Its NPN and PNP configurations provide flexibility for different circuit designs, while its power-handling capabilities make it a popular choice for a variety of electronic applications
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | Collector- Base Voltage VCBO | - |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 800 mV |
Maximum DC Collector Current | 15 A | Pd - Power Dissipation | 83 W |
Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | D44VH |
Continuous Collector Current | 15 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 35 |
Height | 15.75 mm | Length | 10.53 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 50 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 4.83 mm | Unit Weight | 0.211644 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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