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D44C12G +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 40MHz 30 W Through Hole TO-220

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

D44C12G
Scheda dati:

D44C12G Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

500mV @ 50mA, 1A
EDA/CAD Modelli:

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D44C12G Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 40MHz 30 W Through Hole TO-220

Caratteristiche principali

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V (Max)
High f_t for Good Frequency Response
Low Leakage Current
Pb-Free Packages are Available*

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	4 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 1A	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 200mA, 1V	Power - Max	30 W
Frequency - Transition	40MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	D44C

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