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CGHV38375F +BOM

RF JFET Transistors 400W, GaN HEMT, 50V, 2.75-3.75GHz, IM FET, Flange

Produttore:

WOLFSPEED, INC
ProduttorePart #:

CGHV38375F
Scheda dati:

CGHV38375F Scheda dati (PDF)
Continuous Drain Current (ID):

24 A
Drain To Source Breakdown Voltage:

125 V
Drain To Source Voltage (Vdss):

150 V
Gate To Source Voltage (Vgs):

-10 V
EDA/CAD Modelli:

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CGHV38375F Descrizione generale

RF Mosfet 50 V 500 mA 2.75GHz ~ 3.75GHz 12.5dB 400W 440226

Specifiche

Continuous Drain Current (ID)	24 A	Drain to Source Breakdown Voltage	125 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V	Gate to Source Voltage (Vgs)	-10 V
Max Junction Temperature (Tj)	225 °C	Max Operating Temperature	225 °C
Number of Channels	1

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