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CGH40180PP +BOM

GaN HEMT FET offering high reliability and low thermal resistance for demanding RF designs

Produttore:

WOLFSPEED, INC
ProduttorePart #:

CGH40180PP
Scheda dati:

CGH40180PP Scheda dati (PDF)
Series:

GaN
Technology:

HEMT
Frequency:

0Hz ~ 2.5GHz
Gain:

19dB
EDA/CAD Modelli:

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CGH40180PP Descrizione generale

RF Mosfet 28 V 2 A 0Hz ~ 2.5GHz 19dB 220W 440199

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	GaN
Technology	HEMT	Frequency	0Hz ~ 2.5GHz
Gain	19dB	Voltage - Test	28 V
Current Rating (Amps)	56A	Noise Figure	-
Current - Test	2 A	Power - Output	220W
Voltage - Rated	84 V	Base Product Number	CGH40
Product Category:	RF JFET Transistors	Transistor Type:	HEMT
Technology:	GaN	Operating Frequency:	1 GHz to 2.5 GHz
Gain:	19 dB	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	120 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V to 2 V
Id - Continuous Drain Current:	24 A	Output Power:	220 W
Maximum Drain Gate Voltage:	-	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Pd - Power Dissipation:	-
Mounting Style:	Screw Mount	Packaging:	Tray
Application:	-	Class:	-
Configuration:	Dual	Development Kit:	CGH40180PP-TB
Fall Time:	-	Forward Transconductance - Min:	-
Gate-Source Cutoff Voltage:	-	Height:	4.34 mm
Length:	29 mm	NF - Noise Figure:	-
Number of Channels:	2 Channel	Operating Temperature Range:	-
P1dB - Compression Point:	-	Product:	GaN HEMT
Product Type:	RF JFET Transistors	Rds On - Drain-Source Resistance:	-
Rise Time:	-	Factory Pack Quantity:	1
Subcategory:	Transistors	Typical Turn-Off Delay Time:	-
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3 V	Width:	5.97 mm
Unit Weight:	1.033668 oz

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