Metodo di pagamento
CGHV59070F +BOM
Internally matched design enables reliable and efficient operation
SMD-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
CGHV59070F
-
Scheda dati:
-
Continuous Drain Current (ID):
6.3 A
-
Drain To Source Breakdown Voltage:
125 V
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
150 V
-
Efficiency:
50 %
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EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7552 PZ
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CGHV59070F Descrizione generale
RF Mosfet 50 V 150 mA 4.4GHz ~ 5.9GHz 13.3dB 76W 440224
Specifiche
Continuous Drain Current (ID) | 6.3 A | Drain to Source Breakdown Voltage | 125 V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V | Efficiency | 50 % |
Frequency | 4.5 GHz | Gain | 12 dB |
Gate to Source Voltage (Vgs) | -10 V | Max Frequency | 5.9 GHz |
Max Junction Temperature (Tj) | 225 °C | Max Operating Temperature | 150 °C |
Max Output Power | 70 W | Min Operating Temperature | -40 °C |
Number of Channels | 1 | Voltage Rating | 50 V |
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In Stock: 7.552
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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