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CGHV35400F +BOM
High-power RF Mosfet for V application
TO-59-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
CGHV35400F
-
Scheda dati:
-
Shipping Restrictions:
This product may require additional documentation to export from the United States.
-
Transistor Type:
HEMT
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Technology:
GaN
-
Operating Frequency:
2.9 GHz to 3.5 GHz
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 5447 PZ
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CGHV35400F Descrizione generale
RF Mosfet 45 V 500 mA 2.9GHz ~ 3.5GHz 11dB 455W 440210
Caratteristiche principali
- High power density: capable of handling up to 400 watts of power with a drain-source voltage of 50 volts.
- High frequency operation: can operate at frequencies up to 3.5 GHz.
- High efficiency: can achieve over 60% efficiency in some applications.
- Low thermal resistance: enables efficient heat dissipation, which is critical for high-power applications.
Applicazione
- Radar systems
- Satellite communications
- Wireless infrastructure
- Industrial heating
- Medical equipment
- Plasma generation
Specifiche
Product Category: | RF JFET Transistors | Shipping Restrictions: | This product may require additional documentation to export from the United States. |
Transistor Type: | HEMT | Technology: | GaN |
Operating Frequency: | 2.9 GHz to 3.5 GHz | Gain: | 11 dB |
Transistor Polarity: | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | - 10 V, 2 V | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
Output Power: | 500 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 125 C | Mounting Style: | Screw Mount |
Packaging: | Tray | Product Type: | RF JFET Transistors |
Series: | CGHV | Factory Pack Quantity: | 1 |
Subcategory: | Transistors | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | - 3.8 V |
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In Stock: 5.447
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