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Vedi Specifiche Tecniche

BSS209PWH6327XTSA1 +BOM

Compact SOT-package for reduced board space usag

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

BSS209PWH6327XTSA1
Scheda dati:

BSS209PWH6327XTSA1 Scheda dati (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
Technology:

Si
EDA/CAD Modelli:

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BSS209PWH6327XTSA1 Descrizione generale

The BSS209PWH6327XTSA1 is a highly innovative power MOSFET developed by Infineon, offering unmatched performance and quality. Its enhancement mode and avalanche rating make it a reliable choice for various applications. Furthermore, it is designed with Pb-free lead plating, aligning with RoHS requirements and demonstrating its commitment to environmental sustainability. The small signal packages have been approved to AEC Q101 standards, ensuring their durability and reliability for use in automotive, consumer, eMobility, motor control, notebook, and onboard charger applications

Caratteristiche principali

Advanced power management system
Efficient energy conversion

Applicazione

Asset tracking
Condition monitoring
Predictive maintenance

Specifiche

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V	Id - Continuous Drain Current	630 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	1 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	300 mW	Channel Mode	Enhancement
Qualification	AEC-Q101	Series	BSS209
Configuration	Single	Fall Time	4.6 ns
Forward Transconductance - Min	0.87 S	Height	0.9 mm
Length	2 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	7 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	6 ns	Typical Turn-On Delay Time	2.6 ns
Width	1.25 mm	Part # Aliases	BSS209PW H6327 SP000750498
Unit Weight	0.000212 oz

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