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BSC320N20NS3G +BOM

A top-notch choice for high-voltage switching requirements, this chip deliver

BSC320N20NS3G Descrizione generale

N-Channel 200 V 36A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Specifiche

Source Content uid BSC320N20NS3G Part Life Cycle Code Active
Pin Count 8 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Avalanche Energy Rating (Eas) 190 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 200 V Drain Current-Max (ID) 36 A
Drain-source On Resistance-Max 0.032 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 4 pF JESD-30 Code R-PDSO-F8
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 125 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 144 A Qualification Status Not Qualified
Reference Standard IEC-61249-2-21 Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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