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BSC120N03MSG +BOM

Low resistance 12mΩ@10V and high current 30A @ 250uA suitable for various applications

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

BSC120N03MSG
Scheda dati:

BSC120N03MSG Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelli:

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BSC120N03MSG Descrizione generale

N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Specifiche

Source Content uid	BSC120N03MSG	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	AVALANCHE RATED	Avalanche Energy Rating (Eas)	10 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	11 A
Drain-source On Resistance-Max	0.012 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-F8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	28 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	156 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta), 39A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 30A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC120

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