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BSC100N03MSGATMA1 +BOM

N-Channel 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

BSC100N03MSGATMA1
Scheda dati:

BSC100N03MSGATMA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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BSC100N03MSGATMA1 Descrizione generale

N-Channel 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	44 A	Rds On - Drain-Source Resistance	8.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	23 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	30 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	OptiMOS
Series	OptiMOS 3M	Configuration	Single
Fall Time	5.4 ns	Forward Transconductance - Min	27 S
Height	1.27 mm	Length	5.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	4.8 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	8 ns
Typical Turn-On Delay Time	8.5 ns	Width	5.15 mm
Part # Aliases	BSC100N03MS G SP000311515	Unit Weight	0.004357 oz

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