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BSC046N10NS3G +BOM

Product BSC046N10NS3 G is a high-power N-channel MOSFET designed to handle up to 100V and 100A, featuring a compact TDSON-8 package

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

BSC046N10NS3G
Scheda dati:

BSC046N10NS3G Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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BSC046N10NS3G Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8

Specifiche

Source Content uid	BSC046N10NS3G	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	8	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	350 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	17 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0046 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-N8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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