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BSC035N10NS5ATMA1 +BOM
MOSFET 100VPower transistor OptiMOS 5
TDSON-8-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
BSC035N10NS5ATMA1
-
Scheda dati:
-
Pbfree Code:
Yes
-
Part Life Cycle Code:
Active
-
Reach Compliance Code:
not_compliant
-
ECCN Code:
EAR99
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EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 5860 PZ
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BSC035N10NS5ATMA1 Descrizione generale
The BSC035N10NS5ATMA1 power MOSFET transistor is a high-performance component designed to meet the demands of power management circuits. With a VDS of 100V and a continuous ID of 35A, this transistor is capable of handling high-current applications with ease. Its low on-state resistance of 0.019 ohms at a 10V gate-source voltage ensures minimal power losses and efficient operation
Caratteristiche principali
- Safe operating temperature range
- Rapid thermal recovery
- Fault-tolerant system architecture
- Precision overcurrent protection
- High reliability in harsh environments
- Low electromagnetic interference
Applicazione
- Automotive tools
- Industrial power
- Switching control
Specifiche
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day | Avalanche Energy Rating (Eas) | 300 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 100 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0035 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-F8 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400 A |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | FLAT | Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Politiche di servizio e altro
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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